MOSFET de puissance canal N Infineon 75 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 165-5889
- Référence fabricant:
- IRF2807ZSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 165-5889
- Référence fabricant:
- IRF2807ZSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 71nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 71nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Largeur 9.65mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 89A, dissipation de puissance maximale de 170W - IRF2807ZSTRLPBF
Ce MOSFET est conçu pour des applications de commutation à haute performance, offrant efficacité et fiabilité dans divers circuits électroniques. Sa faible résistance à l'enclenchement et ses fortes caractéristiques thermiques en font un produit essentiel pour les utilisateurs des secteurs de l'automatisation, de l'électricité et de la mécanique, permettant une gestion efficace de l'énergie et une réduction des pertes d'énergie.
Caractéristiques et avantages
• Courant de vidange continu jusqu'à 89A
• Tension drain-source maximale de 75V
• Température de fonctionnement jusqu'à +175°C pour la stabilité thermique
• Faible Rds(on) de 9,4 mΩ pour réduire la perte de puissance
• Les capacités de commutation rapide améliorent la réactivité du système
• Dispositif de mode d'amélioration pour un fonctionnement optimal
Applications
• Utilisé dans les circuits d'alimentation électrique pour une conversion efficace de l'énergie
• Utilisés dans les systèmes automobiles et industriels pour la commande des moteurs
• Convient aux convertisseurs DC-DC et aux régulateurs à découpage
• Applicable aux commutations à haute fréquence dans l'électronique
• Utilisé pour la protection contre les surcharges dans divers systèmes électriques
Quelle est la tension maximale que ce composant peut supporter au niveau de la grille et de la source ?
Il peut gérer une tension maximale de source de grille de ±20V, ce qui garantit la compatibilité avec divers signaux de commande.
Quel est le comportement de ce composant à haute température ?
Avec une température de fonctionnement maximale de +175°C, il reste stable et fonctionnel dans des environnements à haute température, ce qui le rend adapté à de telles applications.
Quel est l'objectif de la caractéristique de faible résistance à l'enclenchement ?
La faible résistance à l'enclenchement minimise la production de chaleur et améliore l'efficacité pendant le fonctionnement, ce qui est important pour les applications à courant élevé.
Peut-il être utilisé à la fois pour le montage en surface et pour les trous traversants ?
Ce dispositif est spécialement conçu pour la technologie de montage en surface dans un boîtier D2PAK, optimisant l'espace et les performances thermiques.
Quels sont les avantages de la vitesse de commutation pour la conception d'un système ?
La commutation rapide améliore l'efficacité globale du système et permet une conception compacte en facilitant le fonctionnement à plus haute fréquence dans les solutions de gestion de l'énergie.
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