MOSFET canal N Infineon 246 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

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130-1007
Référence fabricant:
IRFS7730TRLPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

246A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Type de Boitier

TO-263

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

375W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

271nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

9.65mm

Longueur

10.67mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.83mm

Standard automobile

Non

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