Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 128 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

Code commande RS:: 168-6010
Référence fabricant:: IRFS3307ZTRLPBF
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 128 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

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Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

1 267,20 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
800 - 800	1,584 €	1 267,20 €
1600 +	1,505 €	1 204,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 168-6010
Référence fabricant:: IRFS3307ZTRLPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	128A
	Tension Drain Source maximum Vds	75V
	Série	HEXFET
	Type de Boitier	TO-263
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	5.8mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	79nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	230W
	Tension directe Vf	1.3V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	9.65mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	4.83mm
	Longueur	10.67mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 128A
	Tension Drain Source maximum Vds 75V
	Série HEXFET
	Type de Boitier TO-263
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 5.8mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 79nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 230W
	Tension directe Vf 1.3V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 9.65mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 4.83mm
	Longueur 10.67mm
	Standard automobile Non

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