MOSFET canal N Infineon 128 A 75 V, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 218-3118
- Référence fabricant:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 + | 1,661 € | 16,61 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-3118
- Référence fabricant:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 128A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.8mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 110nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 230W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 9.65mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 128A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.8mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 110nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 230W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.83mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 9.65mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N simple série Infineon HEXFET intégré au boîtier de type D2PAK (TO-263).
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