MOSFET canal N Infineon 120 A 75 V, TO-263 HEXFET

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Code commande RS:
257-5512
Référence fabricant:
IRFB3307PBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Circuit imprimé

Résistance Drain Source maximum Rds

6.3mΩ

Dissipation de puissance maximum Pd

200W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La famille de MOSFET de puissance strongIRFET d'Infineon est optimisée pour un faible RDS et une capacité de courant élevé. Les dispositions sont idéaux pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et de la robustesse. Le portefeuille complet s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c. c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c. c.-c. c.

Optimisé pour offrir la plus large disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit selon la norme JEDEC

Boîtier de montage à trou standard de l'industrie

Courant nominal élevé

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