MOSFET canal N Infineon 82 A 75 V, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 214-4444
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-39-413
- Référence fabricant:
- IRF2807STRLPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
16,20 €
HT
19,40 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 760 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
- Plus 90 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,62 € | 16,20 € |
| 50 - 90 | 1,54 € | 15,40 € |
| 100 - 240 | 1,475 € | 14,75 € |
| 250 - 490 | 1,41 € | 14,10 € |
| 500 + | 1,313 € | 13,13 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4444
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-39-413
- Référence fabricant:
- IRF2807STRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 82A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 230W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 160nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 82A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 230W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 160nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Ce transistor MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilise des techniques de traitement Advanced pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Cet avantage est combiné à la vitesse de commutation rapide et robuste La conception de l'appareil fournit un dispositif fiable et efficace
Il est entièrement homologué contre les avalanches
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 82 A 75 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 230 A 75 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 120 A 75 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET de puissance canal N Infineon 75 A 75 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 260 A 75 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 170 A 75 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 128 A 75 V TO-263 HEXFET
