MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9425
- Référence fabricant:
- IRFS3607TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 973,00 €
HT
3 567,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,991 € | 2 973,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9425
- Référence fabricant:
- IRFS3607TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 56nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple 75 V dans un boîtier D2 Pak.
Meilleure robustesse de la porte, de l'avalanche et du dv/dt dynamique
SOA de capacité et d'avalanche entièrement caractérisé
Capacité de diode de corps dV/dt et dI/dt améliorée
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