MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9426
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-543
- Référence fabricant:
- IRFS3607TRLPBF
- Marque:
- Infineon
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| 5 - 45 | 3,46 € | 17,30 € |
| 50 - 120 | 3,116 € | 15,58 € |
| 125 - 245 | 2,95 € | 14,75 € |
| 250 - 495 | 2,564 € | 12,82 € |
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- Code commande RS:
- 257-9426
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-543
- Référence fabricant:
- IRFS3607TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 56nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple 75 V dans un boîtier D2 Pak.
Meilleure robustesse de la porte, de l'avalanche et du dv/dt dynamique
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Capacité de diode de corps dV/dt et dI/dt améliorée
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