MOSFET canal N Infineon 170 A 75 V, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 214-4445
- Référence fabricant:
- IRF2907ZSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
1 276,80 €
HT
1 532,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,596 € | 1 276,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4445
- Référence fabricant:
- IRF2907ZSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 170A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.5mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 270nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 170A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.5mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 270nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Ce transistor MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Il offre une vitesse de commutation rapide et une meilleure valeur nominale d'avalanche répétitive.
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