MOSFET canal N Infineon 128 A 75 V, 3 broches, TO-263 HEXFET

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Code commande RS:
218-3117
Référence fabricant:
IRFS3307ZTRRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

128A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Type de Boitier

TO-263

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

5.8mΩ

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

110nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

9.65mm

Longueur

10.67mm

Largeur

4.83mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance à canal N simple série Infineon HEXFET intégré au boîtier de type D2PAK (TO-263).

Capacité entièrement caractéristique et SOA avalanche

Capacité de diode de corps améliorée dV/dt et dI/dt

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