MOSFET canal N Infineon 269 A 75 V Enrichissement, 7 broches, TO-263 HEXFET

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Code commande RS:
218-3124
Référence fabricant:
IRFS7730TRL7PP
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

269A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

375W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

428nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.83mm

Longueur

10.67mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.65mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N simple série Infineon HEXFET. Intégré avec boîtier de type D2PAK 7 broches (TO-263 7 broches).

Sans plomb, conformité à la directive RoHS

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