MOSFET P Infineon 6.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC HEXFET

Code commande RS:: 165-5933
Référence fabricant:: IRF7241TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 6.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC HEXFET

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

Code commande RS:: 165-5933
Référence fabricant:: IRF7241TRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	6.2A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Type de Boitier	SOIC
	Série	HEXFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	70mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	53nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	-1.2V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	2.5W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	5mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	4mm
	Hauteur	1.5mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 6.2A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Type de Boitier SOIC
	Série HEXFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 53nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf -1.2V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 5mm
	Normes/homologations No
	Largeur 4mm
	Hauteur 1.5mm
	Standard automobile Non

IRF7241TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet

Infineon HEXFET Series MOSFET, 6,2A Maximum Continuous Drain Current, 2,5W Maximum Power Dissipation - IRF7241TRPBF

Ce MOSFET est conçu pour une gestion efficace de la puissance dans les circuits électroniques. Avec une configuration à canal P et une capacité de courant de drain continu de 6,2A, il convient à diverses applications. Le fonctionnement en mode d'amélioration renforce encore son adaptabilité à différents dispositifs électroniques, ce qui en fait un composant essentiel des systèmes d'automatisation et des systèmes électriques.

Caractéristiques et avantages

• Prend en charge une tension drain-source maximale de 40V pour des performances élevées

• La faible résistance à l'enclenchement de 70mΩ améliore l'efficacité et minimise la production de chaleur

• Peut supporter une température de fonctionnement maximale de +150°C

• La large gamme de tensions de grille permet une intégration flexible

• La configuration à transistor unique simplifie l'agencement des circuits et économise de l'espace

• La charge de grille typique de 53nC à 10V permet une commutation rapide

Applications

• Utilisé dans les systèmes de gestion de l'énergie pour l'automatisation

• Approprié pour les charges d'entraînement dans l'électronique grand public

• Utilisé dans les circuits de conversion et de régulation de puissance

• Incorporé dans diverses industries électriques

• Intégration dans les systèmes de commande de moteurs et d'automatisation industrielle

Quelle est la signification de la faible mesure du RDS(on) ?

Une mesure RDS(on) faible indique des pertes de puissance plus faibles pendant le fonctionnement, ce qui permet d'améliorer l'efficacité et de réduire la production de chaleur.

Comment la tension maximale porte-source affecte-t-elle les performances ?

La plage maximale de tension grille-source permet une plus grande compatibilité avec différents circuits d'attaque, garantissant une commutation fiable dans diverses conditions de fonctionnement.

Quelles sont les précautions à prendre lors de l'installation ?

Veillez à une bonne gestion thermique et vérifiez que les conditions de fonctionnement restent dans les limites des valeurs maximales spécifiées, en particulier pour la tension et la température.

Comment le comportement du mode d'amélioration affecte-t-il la conception des circuits ?

Le fonctionnement en mode amélioration signifie que le transistor est éteint lorsque la tension de grille est nulle, ce qui permet de réduire la consommation d'énergie en mode veille et d'améliorer la fiabilité globale du circuit.