MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 4 A 200 V, 3 broches

Code commande RS:: 165-6000
Référence fabricant:: SIHF9630STRL-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 4 A 200 V, 3 broches

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Prix pour l'unité (en bobine de 800)

0,519 €

0,623 €

Unité	Prix par unité	la bobine*
800 - 800	0,519 €	415,20 €
1600 +	0,495 €	396,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-6000
Référence fabricant:: SIHF9630STRL-GE3
Marque:: Vishay

Documentation technique

IRF9630S, SiHF9630S, Power MOSFET

Législation et Conformité

Pays d'origine :: CN

Détail produit

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	4 A
Tension Drain Source maximum	200 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	800 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	74 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	29 nC @ 10 V
Largeur	9.65mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	10.67mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	4.83mm