MOSFET P Vishay 50 A 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SQ Rugged AEC-Q101

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1 492,00 €

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Code commande RS:
165-6372
Référence fabricant:
SQD45P03-12_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

TO-252

Série

SQ Rugged

Type de montage

Circuit imprimé

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.017Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

55.3nC

Dissipation de puissance maximum Pd

71W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.22mm

Normes/homologations

AEC-Q101, RoHS

Hauteur

2.38mm

Longueur

6.73mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
TW

Transistor MOSFET canal P, série SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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