MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 25 A 60 V, 3 broches

Code commande RS:: 787-9480
Référence fabricant:: SQD25N06-22L_GE3
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 25 A 60 V, 3 broches

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Code commande RS:: 787-9480
Référence fabricant:: SQD25N06-22L_GE3
Marque:: Vishay

Documentation technique

SQD25N06-22L, Automotive N-Channel 60V (Drain-Source) 175degC MOSFET Data Sheet

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor

La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.

Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged

• Certifié AEC-Q101
• Température de jonction jusqu'à +175 °C
• Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
• Options de boîtier innovantes à gain de place

Homologations

AEC-Q101

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	25 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	DPAK (TO-252)
Série	SQ Rugged
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	49 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1.5V
Dissipation de puissance maximum	62 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Longueur	6.73mm
Largeur	6.22mm
Charge de Grille type @ Vgs	33 nC @ 10 V
Hauteur	2.38mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Standard automobile	AEC-Q101