MOSFET P Vishay 11 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SQ Rugged AEC-Q101

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1 008,00 €

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Code commande RS:
145-2756
Référence fabricant:
SQD19P06-60L_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

SQ Rugged

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

125mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

27nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

-1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

46W

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.22mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.38mm

Longueur

6.73mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
TW

Transistor MOSFET canal P, série SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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