MOSFET P Vishay -20 A -60 V P, 3 broches, TO-252 SQ AEC-Q101

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Code commande RS:
878-892
Référence fabricant:
SQD19P06-60L_NE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Canal P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

-20A

Tension Drain Source maximum Vds

-60V

Type de Boitier

TO-252

Série

SQ

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.1Ω

Mode de canal

P

Dissipation de puissance maximum Pd

46W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

27nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

-1.5V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.22mm

Hauteur

2.38mm

Largeur

6.73mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
GB
Le transistor MOSFET avancé à canal P automobile de Vishay est conçu pour des performances élevées dans les applications automobiles, offrant fiabilité et efficacité dans des conditions extrêmes.

Sans halogène et conforme à la directive RoHS 2002/95/CE

Certifié AEC-Q101 pour une fiabilité automobile améliorée

Tension de rupture drain-source de -60 V pour un fonctionnement robuste

Le courant de drain continu maximal de 20 A garantit une gestion efficace de la puissance

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