MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh M2

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Code commande RS:
165-6548
Référence fabricant:
STB13N60M2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh M2

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

380mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25V, +25V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17nC

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Largeur

9.35mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics


Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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