MOSFET 1 canal N Simple STMicroelectronics 4.5 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh M2

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
Options de conditionnement :
Code commande RS:
786-3580
Référence fabricant:
STB6N60M2
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

4.5A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

MDmesh M2

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

60W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V, -25V

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Simple

Longueur

10.4mm

Hauteur

9.35mm

Largeur

4.6mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Série MDmeshTM M2 à canal N, STMicroelectronics


Une gamme de transistors MOSFET de puissance haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes caractéristiques de capacité de sortie, la série MDmesh M2 est parfaite pour une utilisation dans les alimentations de commutation de type résonant (convertisseurs LLC).

Transistors MOSFET, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.