MOSFET 1 canal N Simple STMicroelectronics 4.5 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh M2

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Code commande RS:
786-3580
Référence fabricant:
STB6N60M2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Nombre d'éléments par circuit

1

Type de canal

N

Configuration du transistor

Simple

Courant continu de Drain maximum (Id)

4.5 A

Tension Drain Source maximum (Vds)

650 V

Mode de canal

Enrichissement

Nombre de broches

3

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh M2

Hauteur

9.35 mm

Longueur

10.4 mm

Résistance Drain Source maximum (Rds)

1.2 Ω

Tension maximale de source de la grille (Vgs)

25 V, -25 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Dissipation de puissance maximum (Pd)

60 W

Température minimum de fonctionnemen

-55 °C

Type de montage

En surface

Largeur

4.6 mm

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics


A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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