MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 FDmesh

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Code commande RS:
165-6595
Référence fabricant:
STD13NM60ND
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-252

Série

FDmesh

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

380mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

24.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

109W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25V, +25V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6.2mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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