MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 FDmesh

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Code commande RS:
103-1996
Référence fabricant:
STW20NM60FD
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

FDmesh

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

290mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Dissipation de puissance maximum Pd

214W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

37nC

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.15mm

Hauteur

20.15mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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