MOSFET canal N Infineon 195 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 165-8288
- Référence fabricant:
- IRFS4115TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 165-8288
- Référence fabricant:
- IRFS4115TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 195A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 12.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 77nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Largeur | 11.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 195A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 12.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 77nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.67mm | ||
Largeur 11.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance à canal N 150 à 600 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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