MOSFET Infineon canal N/P, MSOP 2 A, 2,7 A 30 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 166-0907
- Référence fabricant:
- IRF7509TRPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 0,275 € | 1 100,00 € |
| 8000 + | 0,261 € | 1 044,00 € |
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- Code commande RS:
- 166-0907
- Référence fabricant:
- IRF7509TRPBF
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à double canal N/P, Infineon
Les transistors de puissance MOSFET doubles d'Infineon intègrent deux dispositifs HEXFET® pour fournir des solutions de commutation permettant un gain de place et qui soient rentables dans les conceptions à haute densité de composants dans lesquelles l'espace disponible sur la carte constitue un facteur primordial. Une grande variété d'options de boîtier est disponible et les concepteurs peuvent choisir la configuration à canal N/P double.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N, P |
| Courant continu de Drain maximum | 2 A, 2,7 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | MSOP |
| Série | HEXFET |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 110 mΩ, 200 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 1V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
| Dissipation de puissance maximum | 1,25 W |
| Configuration du transistor | Isolé |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 |
| Largeur | 3mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 7,5 nC @ 10 V, 7,8 nC @ 10 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 3mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 0.86mm |
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