MOSFET P Infineon 70 A -30 V N, TO-252 IPD
- Code commande RS:
- 258-3830
- Référence fabricant:
- IPD068P03L3GATMA1
- Marque:
- Infineon
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1 062,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,425 € | 1 062,50 € |
| 5000 + | 0,404 € | 1 010,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3830
- Référence fabricant:
- IPD068P03L3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -30V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | IPD | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 11mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -30V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série IPD | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 11mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors à effet de champ en mode d'amélioration à canal P d'Infineon sont des familles OptiMOS extrêmement innovantes qui incluent des transistors MOSFET de puissance à canal P. Ces produits répondent en permanence aux exigences de qualité et de performance les plus élevées dans les spécifications clés pour la conception de systèmes d'alimentation, telles que la résistance à l'état actif et les caractéristiques de mérite.
Mode d'amélioration
Niveau logique
Homologué avalanche
Commutation rapide
Valeur nominale DV/dt
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