MOSFET P Infineon 42 A 650 V N, TO-252 IPD
- Code commande RS:
- 258-3852
- Référence fabricant:
- IPD60R210PFD7SAUMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|---|
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| 50 - 98 | 1,945 € | 3,89 € | 22,25 € |
| 100 - 198 | 1,90 € | 3,80 € | 49,00 € |
| 200 + | 1,855 € | 3,71 € | 107,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3852
- Référence fabricant:
- IPD60R210PFD7SAUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 42A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | IPD | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 210mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 42A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série IPD | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 210mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET à super jonction CoolMOS PFD7 de 600 V d'Infineon complète l'offre CoolMOS 7 pour les applications grand public. Le MOSFET de super jonction CoolMOS PFD7 de 600 V dans un boîtier TO-252 DPAK est doté d'un RDS(on) de 210 mOhm pour de faibles pertes de commutation. Les produits sont fournis avec une diode à corps rapide intégrée garantissant un dispositif robuste. La diode à corps rapide et le boîtier CMS leader de l'industrie d'Infineon réduisent l'espace sur le circuit imprimé et, à son tour, la facture de matériau du client. Cette famille de produits est adaptée à une densité de puissance ultra-haute ainsi qu'à des conceptions à haut rendement. Les produits s'adressent principalement aux chargeurs à très haute densité, aux adaptateurs et aux entraînements de moteur à faible consommation. Le CoolMOS PFD7 de 600 V offre un meilleur rendement léger et à pleine charge par rapport aux technologies CoolMOS P7 et CE MOSFET, ce qui entraîne une augmentation de la densité de puissance de 1,8 W/pouce3.
Excellente robustesse de commutation
Faible IEM
Large portefeuille de boîtiers
Réduction des coûts BOM et fabrication facile
Robustesse et fiabilité
Facile à sélectionner les pièces adaptées pour le réglage fin de la conception
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