MOSFET Infineon, PG-TO 252-3 14 A 650 V

Le transistor MOSFET à super jonction CoolMOS PFD7 de 600 V d'Infineon complète l'offre CoolMOS 7 pour les applications grand public. Le MOSFET de super jonction CoolMOS PFD7 dans un boîtier TO 252 DPAK est doté d'un RDS(on) de 2 000 mOhm pour de faibles pertes de commutation. Une diode à corps rapide mise en œuvre assure un dispositif robuste et, à son tour, réduit la facture de matériau pour le client. En outre, notre offre de boîtier CMS leader du secteur contribue à économiser de l'espace sur le circuit imprimé et simplifie la fabrication.

Large gamme de valeurs RDS(on)
Excellente robustesse de commutation
Faible IEM
Large portefeuille de boîtiers
Réduction des coûts BOM et fabrication facile
Robustesse et fiabilité
Facile à sélectionner les pièces adaptées pour le réglage fin de la conception