MOSFET canal N onsemi 8 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 PowerTrench

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Code commande RS:
166-1704
Référence fabricant:
FDD86250
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

8A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Série

PowerTrench

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

23nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

132W

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.39mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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