MOSFET canal N onsemi 50 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 FDD AEC-Q101

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178-4442
Référence fabricant:
FDD86250-F085
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Série

FDD

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

22mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.25V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

28nC

Dissipation de puissance maximum Pd

160W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

2.39mm

Largeur

6.22mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.73mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
PH
Transistor MOSFET PowerTrench® à grille blindée et canal N 150 V, 50 A, 22 mΩ

RDS(ON) typique = 19,4 mΩ à VGS = 10 V, ID = 20 A

Qg (Tot) typique = 28 nC à VGS = 10 V, ID = 40 A

Capacité UIS

Applications :

Commande de moteurs automobiles

Gestion de groupe propulseur

Drivers de solénoïde et de moteur

Architectures d'alimentation distribuée et VRM

Commutateur principal pour les systèmes 12 V

Produits finis :

Démarreur/alternateur intégré

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