Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 50 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 FDD AEC-Q101

Code commande RS:: 178-4231
Référence fabricant:: FDD86250-F085
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 50 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 FDD AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 970,00 €

2 365,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

5 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,788 €	1 970,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 178-4231
Référence fabricant:: FDD86250-F085
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	50A
	Tension Drain Source maximum Vds	150V
	Série	FDD
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	22mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	160W
	Tension directe Vf	1.25V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	28nC
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	6.22mm
	Hauteur	2.39mm
	Longueur	6.73mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 50A
	Tension Drain Source maximum Vds 150V
	Série FDD
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 22mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 160W
	Tension directe Vf 1.25V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 6.22mm
	Hauteur 2.39mm
	Longueur 6.73mm
	Standard automobile AEC-Q101

Pays d'origine :: PH

Transistor MOSFET PowerTrench® à grille blindée et canal N 150 V, 50 A, 22 mΩ

RDS(ON) typique = 19,4 mΩ à VGS = 10 V, ID = 20 A

Qg (Tot) typique = 28 nC à VGS = 10 V, ID = 40 A

Capacité UIS

Applications :

Commande de moteurs automobiles

Gestion de groupe propulseur

Drivers de solénoïde et de moteur

Architectures d'alimentation distribuée et VRM

Commutateur principal pour les systèmes 12 V

Produits finis :

Démarreur/alternateur intégré

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