MOSFET P onsemi 22 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 QFET
- Code commande RS:
- 166-1751
- Référence fabricant:
- FQB22P10TM
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
691,20 €
HT
829,60 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 0,864 € | 691,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-1751
- Référence fabricant:
- FQB22P10TM
- Marque:
- onsemi
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 22A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | QFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 125mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -4V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 40nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.75W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 22A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série QFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 125mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -4V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 40nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.75W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.65mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal P, automobile, Fairchild Semiconductor
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