MOSFET 2 canal Type P, Type N Isolé onsemi 3.7 A 20 V Enrichissement, 6 broches, MLP PowerTrench Non
- Code commande RS:
- 166-2660
- Référence fabricant:
- FDMA1032CZ
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
687,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,229 € | 687,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-2660
- Référence fabricant:
- FDMA1032CZ
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P, Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | MLP | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 95mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -12V, +12V | |
| Tension directe Vf | 700mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.4W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4nC | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 750μm | |
| Longueur | 2mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P, Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier MLP | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 95mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V | ||
Tension directe Vf 700mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.4W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4nC | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 750μm | ||
Longueur 2mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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