MOSFET 1 canal N Simple onsemi 600 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-523 (SC-89) PowerTrench
- Code commande RS:
- 166-2664
- Référence fabricant:
- FDY300NZ
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 166-2664
- Référence fabricant:
- FDY300NZ
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Type de canal | N | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 600 mA | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 20 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | SOT-523 (SC-89) | |
| Série | PowerTrench | |
| Hauteur | 780 μm | |
| Longueur | 1.7 mm | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 240 mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | 12 V, -12 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 625 mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | En surface | |
| Largeur | 980 μm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Type de canal N | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 600 mA | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 20 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier SOT-523 (SC-89) | ||
Série PowerTrench | ||
Hauteur 780 μm | ||
Longueur 1.7 mm | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 240 mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) 12 V, -12 V | ||
Température d'utilisation maximum 150 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 625 mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage En surface | ||
Largeur 980 μm | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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