Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 300 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 2N7002K AEC-Q101

Code commande RS:: 166-2858
Référence fabricant:: 2N7002K
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 300 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 2N7002K AEC-Q101

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

144,00 €

174,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

En stock

9 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 janvier 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 6000	0,048 €	144,00 €
9000 - 21000	0,04 €	120,00 €
24000 - 42000	0,039 €	117,00 €
45000 - 96000	0,036 €	108,00 €
99000 +	0,035 €	105,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 166-2858
Référence fabricant:: 2N7002K
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	300mA
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	2N7002K
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	4.8Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	0.7nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	350mW
	Tension directe Vf	1.2V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	1.3mm
	Longueur	2.92mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1.2mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 300mA
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série 2N7002K
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 4.8Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.7nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 350mW
	Tension directe Vf 1.2V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 1.3mm
	Longueur 2.92mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 1.2mm
	Standard automobile AEC-Q101

2N7002K, N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.