MOSFET de puissance 2 canal N Double ROHM 1 A 30 V Enrichissement, 6 broches, TSMT Non
- Code commande RS:
- 168-2133
- Référence fabricant:
- QS6K1TR
- Marque:
- ROHM
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 50 | 0,325 € | 8,13 € |
| 75 - 125 | 0,299 € | 7,48 € |
| 150 + | 0,264 € | 6,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-2133
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- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TSMT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 238mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.25W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.8mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Hauteur | 950μm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TSMT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 238mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.25W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.8mm | ||
Longueur 3mm | ||
Hauteur 950μm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors MOSFET de type complexe (N+N) sont fabriqués comme des dispositifs à faible résistance sous tension avec les technologies de microtraitement adaptées à une large gamme d'applications. Large gamme composée des types compacts, des types haute puissance et des types complexes pour répondre aux divers besoins du marché.
Type d'entraînement à 2,5 Ｖ
Transistor MOSFET de puissance moyenne à canal N
Vitesse de commutation élevée
Boîtier de montage en surface compact
Sans plomb
Applications :
Terminaux de données portables
Machines de traitement de pièces de monnaie
Multimètre numérique : type portable
Commande de moteur : brushless à courant continu
Contrôleurs à logique programmable (PLC)
Servo c.a.
Stockage en réseau NAS
DVR/DVS
Commande de moteur : moteur pas à pas
Commande de moteur : à balai et courant continu
Systèmes de point de vente (POS)
Vélos électriques
PC intégrés
Compteurs intelligents
Caméras de surveillance
Machines d'inspection à rayons X pour la sécurité
Caméras de surveillance pour réseau
Intercom/moniteurs pour bébé
Caméras de visibilité de machine pour les applications industrielles
Appareils d'authentification par empreintes digitales
Interrupteurs de défaut de mise à la terre (GFCI)
Multimètres numériques : type établi
Affichages pour EMS
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