- Code commande RS:
- 168-4490
- Référence fabricant:
- IXTP62N15P
- Marque:
- IXYS
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Prix pour l'unité (en tube de 50)
3,805 €
HT
4,566 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
---|---|---|
50 - 50 | 3,805 € | 190,25 € |
100 - 200 | 3,615 € | 180,75 € |
250 + | 3,424 € | 171,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-4490
- Référence fabricant:
- IXTP62N15P
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 62 A |
Tension Drain Source maximum | 150 V |
Série | HiperFET, Polar |
Type de boîtier | A-220 |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 40 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 5.5V |
Dissipation de puissance maximum | 350 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
Longueur | 10.66mm |
Matériau du transistor | Si |
Température d'utilisation maximum | +175 °C |
Charge de Grille type @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Largeur | 4.83mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 9.15mm |
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