MOSFET IXYS canal N, SOT-227 22 A 1000 V, 4 broches
- Code commande RS:
- 168-4610
- Référence fabricant:
- IXTN22N100L
- Marque:
- IXYS
En stock à partir du 17/07/2024, livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (en tube de 10)
48,748 €
HT
58,498 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 10 + | 48,748 € | 487,48 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 168-4610
- Référence fabricant:
- IXTN22N100L
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- US
Détail produit
MOSFET de puissance canal N, série IXYS Linear
MOSFET de puissance canal N conçus spécifiquement pour un fonctionnement linéaire. Circuits avec FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) étendue, pour une solidité et une fiabilité accrues.
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 22 A |
| Tension Drain Source maximum | 1000 V |
| Type de boîtier | SOT-227 |
| Série | Linear |
| Type de montage | Montage à visser |
| Nombre de broches | 4 |
| Résistance Drain Source maximum | 600 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 5.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 700 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 270 nC @ 15 V |
| Longueur | 38.2mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Largeur | 25.07mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 9.6mm |