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Composants discrets
Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 10 A 800 V, 3 broches
Code commande RS:
168-7791
Référence fabricant:
TK10J80E
Marque:
Toshiba
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Ce produit n’est plus distribué
Code commande RS:
168-7791
Référence fabricant:
TK10J80E
Marque:
Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Caractéristiques techniques
TK10J80E, MOSFET Silicon N-Channel MOS Data Sheet
Déclaration de conformité RoHS
Déclaration de conformité
Pays d'origine :
JP
Transistors MOSFET, Toshiba
Attribut
Valeur
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Type de boîtier
TO-3PN
Série
TK
Type de montage
Traversant
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Simple
Tension Grille Source maximum
-30 V, +30 V
Largeur
4.5mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.5mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+150 °C
Hauteur
20mm
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