MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 64 A 30 V, 3 + Tab broches

La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Infineon IRL3103 est un transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple 30 V dans un boîtier TO-220AB. Le boîtier TO-220 est généralement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de puissance dissipée d'environ 50 watts.

Valeur nominale dv/dt dynamique
Température d'utilisation de 175 °C
Commutation rapide
Entièrement en avalanche
Sans plomb

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.