MOSFET 1 canal N Simple Infineon 130 A 75 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB IRF1407PbF
- Code commande RS:
- 170-2243
- Référence fabricant:
- IRF1407PBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 170-2243
- Référence fabricant:
- IRF1407PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 130A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Série | IRF1407PbF | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Hauteur | 16.51mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 130A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Série IRF1407PbF | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Largeur 4.83mm | ||
Hauteur 16.51mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
La conception planaire en couches des transistors MOSFET de puissance HEXFET® utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de ces transistors MOSFET de puissance HEXFET sont une température d'utilisation de jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure puissance nominale à avalanche répétitive. Ces avantages sont combinés pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une large gamme d'applications.
Avantages :
Faible RDS(on)
Puissance nominale dv/dt dynamique
Commutation rapide
Température d'utilisation de 175 °C
Applications :
Full-bridge grand public
Full-Bridge
Push-Pull
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