MOSFET canal N Infineon 180 A 100 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB HEXFET
- Code commande RS:
- 145-9698
- Référence fabricant:
- IRFB4110GPBF
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-9698
- Référence fabricant:
- IRFB4110GPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 180A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 370W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 150nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 16.51mm | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 180A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 370W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 150nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 16.51mm | ||
Largeur 4.83mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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