MOSFET canal N Infineon 180 A 100 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB HEXFET
- Code commande RS:
- 865-5807
- Référence fabricant:
- IRFB4110GPBF
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|---|
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| 20 - 48 | 4,78 € | 9,56 € | 9,30 € |
| 50 - 98 | 4,565 € | 9,13 € | 34,00 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 865-5807
- Référence fabricant:
- IRFB4110GPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 180A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 150nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 370W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 16.51mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 180A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 150nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 370W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 16.51mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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