MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 90 A 100 V, 3 broches

Infineon PG-TO-252-3 est un nouveau produit d'âge avec une résistance de drain-source de 6,8 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'un courant de drain continu de 90 A. Il est doté d'une tension grille-source maximale de 20 V et d'une tension drain-source de 100 V. Sa puissance dissipée maximale est de 150 W. Le transistor MOSFET est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 6 V et 10 V respectivement. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Produits faciles à concevoir
• Ecologiques
• Excellente charge de grille x R DS (marche) produit (FOM)
Excellentes performances de commutation
• Sans halogène
• densité de puissance la plus élevée
Idéal pour la commutation haute fréquence et la rectification synchrone
• Plus grand rendement
Placage sans plomb (Pb)
• moins de mise en parallèle nécessaire
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
• La plus petite consommation d'espace sur la carte
Très faible Qg et Qgd
RDS (activé) le plus faible au monde

Amplificateurs audio de classe D.
Convertisseurs c.c.-c.c. isolés (systèmes de télécommunications et de communication de données)
Commande de moteur pour les systèmes 48 - 80 V (véhicules domestiques, outils électriques, camions)
• Commutateurs à joint torique et disjoncteurs dans les systèmes 48 V.
Redresseur synchrone

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
JEDEC

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.