MOSFET canal N Infineon 90 A 100 V Enrichissement, 5 broches, TO-252 IPD068N10N3 G

Code commande RS:: 170-2284
Référence fabricant:: IPD068N10N3GATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 90 A 100 V Enrichissement, 5 broches, TO-252 IPD068N10N3 G

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 987,50 €

2 385,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,795 €	1 987,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 170-2284
Référence fabricant:: IPD068N10N3GATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	90A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Type de Boitier	TO-252
	Série	IPD068N10N3 G
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	5
	Résistance Drain Source maximum Rds	12.3mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	1V
	Dissipation de puissance maximum Pd	150W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	51nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	6.73mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	7.47mm
	Hauteur	2.41mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 90A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Type de Boitier TO-252
	Série IPD068N10N3 G
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 5
	Résistance Drain Source maximum Rds 12.3mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 1V
	Dissipation de puissance maximum Pd 150W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 51nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 6.73mm
	Normes/homologations No
	Largeur 7.47mm
	Hauteur 2.41mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Statut RoHS non applicable

Infineon MOSF

Infineon PG-TO-252-3 est un nouveau produit d'âge avec une résistance de drain-source de 6,8 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'un courant de drain continu de 90 A. Il est doté d'une tension grille-source maximale de 20 V et d'une tension drain-source de 100 V. Sa dissipation de puissance maximale est de 71 W. Le transistor MOSFET est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 6 V et 10 V respectivement. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages

Produits faciles à concevoir

• Ecologiques

• Excellente charge de grille x produit RDS (marche) (FOM)

Excellentes performances de commutation

• Sans halogène

• densité de puissance la plus élevée

• Plus grand rendement

Placage sans plomb (Pb)

• moins de mise en parallèle nécessaire

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.

• La plus petite consommation d'espace sur la carte

Très faible Qg et Qgd

RDS (activé) le plus faible au monde

Applications

Amplificateurs audio de classe D.

Convertisseurs c.c.-c.c. isolés (systèmes de télécommunications et de communication de données)

Commande de moteur pour les systèmes 48 - 80 V (véhicules domestiques, outils électriques, camions)

• Commutateurs à joint torique et disjoncteurs dans les systèmes 48 V.

Redresseur synchrone

Certifications

ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

CEI 61249-2-21

JEDEC