MOSFET canal N Microchip 30 mA 500 V Épuisement, 3 broches, TO-92 LND150
- Code commande RS:
- 170-4342
- Référence fabricant:
- LND150N3-G
- Marque:
- Microchip
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Unité | Prix par unité | Le Sachet* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,54 € | 540,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 170-4342
- Référence fabricant:
- LND150N3-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Série | LND150 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1kΩ | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 740mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.2mm | |
| Hauteur | 5.33mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.19mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Série LND150 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1kΩ | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 740mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.2mm | ||
Hauteur 5.33mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.19mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex
La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
Caractéristiques
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
Applications types
Commutateurs normalement fermés
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications
Transistors MOSFET, Microchip
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