MOSFET canal N Microchip 120 mA 350 V Épuisement, 3 broches, TO-92 DN2535

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Code commande RS:
170-4347
Référence fabricant:
DN2535N3-G
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120mA

Tension Drain Source maximum Vds

350V

Série

DN2535

Type de Boitier

TO-92

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

25Ω

Mode de canal

Épuisement

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Tension directe Vf

1.8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

5.33mm

Longueur

5.2mm

Largeur

4.19mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH

Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex


La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

Caractéristiques


Impédance d'entrée élevée

Faible capacité d'entrée

Vitesses de commutation rapides

Faible résistance à état passant

Libre de débitage secondaire

Faible niveau de fuites d'entrée et sortie

Applications types


Commutateurs normalement fermés

Relais statiques

Convertisseurs

Amplificateurs linéaires

Sources de courant constant

Circuits d'alimentation

Télécommunications

Transistors MOSFET, Microchip


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