MOSFET Microchip canal N, TO-92 120 mA 350 V, 3 broches

La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie

Commutateurs normalement fermés
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications

Le transistor à mode d'épuisement (normalement activé) à canal N DN2535 de Microchip utilise une structure DMOS verticale Advanced et un processus de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont idéalement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée, et des commutations rapides sont souhaitées. Il est doté d'une tension drain à source et drain à porte de 350 V et d'une résistance statique drain à source à l'état passant de 25 Ω.

Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à l'état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
Sans plomb (Pb)
Boîtier TO-92 à 3 fils

Transistors MOSFET, Microchip