MOSFET 1 canal N Simple Microchip 350 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 TN0110
- Code commande RS:
- 177-9690
- Référence fabricant:
- TN0110N3-G
- Marque:
- Microchip
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 177-9690
- Référence fabricant:
- TN0110N3-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Type de canal | N | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 350 mA | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 100 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Série | TN0110 | |
| Tension directe (Vf) | 1.5 V | |
| Hauteur | 5.33 mm | |
| Longueur | 5.08 mm | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 4.5 Ω | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 1 W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | Traversant | |
| Largeur | 4.06 mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFET | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Type de canal N | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 350 mA | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 100 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Série TN0110 | ||
Tension directe (Vf) 1.5 V | ||
Hauteur 5.33 mm | ||
Longueur 5.08 mm | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 4.5 Ω | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 1 W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage Traversant | ||
Largeur 4.06 mm | ||
- Pays d'origine :
- TW
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 2.0V max.
High input impedance
Low input capacitance - 50pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
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