MOSFET Microchip canal N, TO-92 30 mA 500 V, 3 broches

La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie

Commutateurs normalement fermés
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications

Le transistor Microchip LND150 à mode d'épuisement de canal N (normalement activé) utilise la technologie DMOS latérale. La porte est protégée contre les décharges électrostatiques. Il est idéal pour les applications haute tension dans les domaines des commutateurs normalement activés, des sources de courant constant de précision, de la génération et de l'amplification de rampe de tension. Il est doté d'une tension drain à source et drain à porte de 500 V et d'une résistance drain à source statique à l'état passant de 1 kΩ.

Libre de débitage secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Plus grande facilité de mise en parallèle
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée élevée et faible CISS
Sans plomb (Pb)
Boîtier TO-92 à 3 fils

Transistors MOSFET, Microchip