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    MOSFET Microchip canal N, , TO-92 30 mA 500 V, 3 broches

    Code commande RS:
    829-3250
    Référence fabricant:
    LND150N3-G
    Marque:
    Microchip
    Microchip
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    En cours d'approvisionnement -expédition le 18/07/2023, pour livraison dès le lendemain
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    Prix pour l'unité (par multiple de 20)

    0,645 €

    HT

    0,774 €

    TTC

    UnitéPrix par unitéle paquet*
    20 - 200,645 €12,90 €
    40 - 800,611 €12,22 €
    100 +0,548 €10,96 €
    *Prix donné à titre indicatif
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    829-3250
    Référence fabricant:
    LND150N3-G
    Marque:
    Microchip

    Documentation technique


    Législation et Conformité


    Détail produit

    Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex


    La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

    Caractéristiques


    Impédance d'entrée élevée
    Faible capacité d'entrée
    Vitesses de commutation rapides
    Faible résistance à état passant
    Libre de débitage secondaire
    Faible niveau de fuites d'entrée et sortie

    Applications types


    Commutateurs normalement fermés
    Relais statiques
    Convertisseurs
    Amplificateurs linéaires
    Sources de courant constant
    Circuits d'alimentation
    Télécommunications

    Le transistor Microchip LND150 à mode d'épuisement de canal N (normalement activé) utilise la technologie DMOS latérale. La porte est protégée contre les décharges électrostatiques. Il est idéal pour les applications haute tension dans les domaines des commutateurs normalement activés, des sources de courant constant de précision, de la génération et de l'amplification de rampe de tension. Il est doté d'une tension drain à source et drain à porte de 500 V et d'une résistance drain à source statique à l'état passant de 1 kΩ.

    Libre de débitage secondaire
    Faible puissance d'entraînement requise
    Plus grande facilité de mise en parallèle
    Excellente stabilité thermique
    Diode de source-drain intégrée
    Impédance d'entrée élevée et faible CISS
    Sans plomb (Pb)
    Boîtier TO-92 à 3 fils


    Transistors MOSFET, Microchip

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum30 mA
    Tension Drain Source maximum500 V
    Type de boîtierTO-92
    Type de montageTraversant
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum1 kΩ
    Mode de canalDepletion
    Tension de seuil maximale de la grille3V
    Dissipation de puissance maximum740 mW
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Longueur5.2mm
    Nombre d'éléments par circuit1
    Largeur4.19mm
    Matériau du transistorSi
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    Hauteur5.33mm
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