MOSFET Microchip canal N, , TO-243AA 30 mA 500 V, 4 broches

Code commande RS:: 178-5275
Référence fabricant:: LND150N8-G
Marque:: Microchip

MOSFET Microchip canal N, , TO-243AA 30 mA 500 V, 4 broches

En stock à partir du 19/12/2023, livraison sous 3 jour(s)

Ajouté

Prix pour l'unité (en bobine de 2000)

0,594 €

0,713 €

Unité	Prix par unité	la bobine*
2000 +	0,594 €	1 188,00 €
*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 178-5275
Référence fabricant:: LND150N8-G
Marque:: Microchip

Documentation technique

Datasheet

Build or Request PCB Symbol & Footprint

Législation et Conformité

Détail produit

Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex

La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

Caractéristiques

Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie

Applications types

Commutateurs normalement fermés
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications

Transistors MOSFET, Microchip

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	30 mA
Tension Drain Source maximum	500 V
Type de boîtier	TO-243AA
Type de montage	CMS
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	1 kΩ
Mode de canal	Depletion
Tension de seuil maximale de la grille	3V
Dissipation de puissance maximum	1,6 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	2.6mm
Longueur	4.6mm
Matériau du transistor	Si
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.6mm