MOSFET Simple canal N Vishay 50 A 50 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SQ Rugged AEC-Q101, AEC-Q101

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Code commande RS:
170-8302
Référence fabricant:
SQD50N05-11L_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Série

SQ Rugged

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Circuit imprimé, En surface

Nombre de broches

3

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Simple

Longueur

6.73mm

Normes/homologations

AEC-Q101, RoHS

Largeur

6.22mm

Hauteur

2.38mm

Standard automobile

AEC-Q101, AEC-Q101

Transistor MOSFET à canal N, série robuste SQ automobile, Vishay Semiconductor


Carré

Avantages des MOSFET de la série robuste SQ


• Certifié AEC-Q101

• Température de jonction jusqu'à +175 °C

• Technologies TrenchFET® à faible résistance à l'état passant aux canaux n et p

• Options de boîtier innovantes et peu encombrantes

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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