MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 20,7 A 650 V, 3 broches

Le transistor MOSFET à canal N à montage traversant Infineon est un nouveau produit d'âge avec une résistance de drain-source de 190 Mohm à une tension de grille-source de Le transistor MOSFET est doté d'un courant de drain continu de 20,7 A. Il est doté d'une tension grille-source maximale de 20 V et d'une tension drain-source de 600 V. Sa dissipation de puissance maximale est de 71 W. Le transistor MOSFET est doté d'une tension d'entraînement de 10 V. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Facilité d'utilisation
Qualité CoolMOS éprouvée sur le terrain
Haut rendement et densité de puissance
• Haute fiabilité
Faible charge de grille (Qg)
• Faible résistance spécifique à l'état
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
• Des coûts de performances remarquables
Stockage d'énergie très faible en capacité de sortie (Eoss) à 400 V.

Adaptateur
Alimentation PC
• alimentations de serveur
• Télécommunications

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
JEDEC